| Bij onderzoek naar silicium-materialen wordt in detail naar interactie van onzuiverheden met korrelgrenzen en andere kristaldefecten gekeken. Onzuiverheden op kristaldefecten verlagen het rendement van zonnecellen. Belangrijke onderzoeksresultaten in 2004 zijn het vaststellen van de hoeveelheden onzuiverheden in huidige silicium wafers, waar ze zich bevinden (op kristaldefecten of in het Si-kristalrooster), nauwkeuriger modellering, betere methoden voor, en beter begrip van, het verwijderen van onzuiverheden uit de korrelgrenzen en defecten. Het verwijderen van ijzer uit silicium wafers is door aanpassing van het celproces verbeterd met een factor 3. |
